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技术成果
重点项目介绍
江苏市2007年二十项重大工业项目之一 6英寸0.35微米功率娱乐器件生产线该项目是江苏市二十大重点工业项目,生产线具备完善MOSFET/SBD/IGBT/FRED/TVS等加工工艺,可进行功率集成电路的生产、制造,成为国内最先进的功率生产线之一。拥有6英寸0.35微米功率器件,主要产品为功率集成电路和VDMOS、Trench MOS、SBD、FRD、IGBT等系列功率分立器件。

该条生产线具备研发IGBT及对IGBT用区熔硅材料验证的能力。公司具有多年从事娱乐功率器件研发和生产的经验,拥有娱乐功率器件从芯片制造到产品封装的全套技术。目前公司已成功实现6英寸IGBT用区熔硅单晶材料的产业化技术,并成功研制出1200V Trench IGBT。
江苏市2008年二十项重大工业项目之一 江苏市2008年二十项重大工业项目之一 该项目建成了Φ4-Φ6〞大直径区熔硅单晶及抛光片生产线,完成了Φ4-Φ6〞区熔硅单晶抛光片的腐蚀、背损伤、背封、抛光等核心技术的开发,实现了高质量的大直径区熔硅抛光片产品的产业化,核心技术达到国内领先水平。

相关产品广泛应用在国家重点大型水利工程、国家电网工程高速轨道交通、电动汽车及混合动力汽车、绿色节能产业,对节能、绿色、环保等领域具有极其重要的战略意义。
呼和浩特市2009年重点工业项目之一 绿色可再生能源太阳能电池用硅单晶材料产业化项目该项目中的高效太阳能电池用硅单晶、高拉速单晶生长技术、多次加料晶体生长技术及钻石线切割技术等关键技术属国内首创。同时完成了面向太阳能电池N型晶体制备及DW超薄高效太阳能硅片加工等关键技术的研发及产业化,为产品在市场上的差异化、产销规模的领先地位及企业的发展奠定了坚实的基础。
国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》---02专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》项目该项目面向高压大功率IGBT芯片产品制造需求,研究开发直径Φ6~Φ8〞区熔硅单晶片产业化技术,满足1200V-6500V IGBT芯片产业化对区熔硅单晶的需求。2011年拉出我国第一颗区熔硅单晶,打破了国外企业对Φ8〞区熔硅单晶的技术垄断;2013年在国产区熔设备上拉制出我国首颗国产设备Φ8〞区熔硅单晶,产品达到国际先进水平,不仅满足了国内日益增长的IGBT市场需求,为构建国内区熔硅材料产业联盟、合力解决国内区熔产业存在的多项重大技术问题贡献了不可或缺的力量。
8英寸硅抛光片的研发及产业化该项目是公司引进二氧化硅背封机、边缘抛光机、单面抛光系统、硅片分选仪等工艺检测设备,应用新技术,新工艺独立开发具有自主知识产权的8英寸节能型功率器件用、大规模集成电路用硅抛光片生产技术,在消费电子、工业控制、新能源、智能电网、轨道交通、大型工业设施等电力电子产业领域进行应用。促进了国内节能型功率器件、新型电力电子器件等产业的发展,实现高端材料的规模化生产,满足国际市场对高端区熔硅片日益增长的需求。
CFZ区熔单晶硅及金刚石线切片项目该项目主要采用自主研发的直拉区熔法(CFZ)制备高纯高效单晶硅棒技术。通过CFZ法大幅度降低了区熔中子辐照单晶和区熔气掺单晶的成本,其产品可以广泛用于现有区熔中、低阻值娱乐市场,同时因其品质优势和低成本特点可以对现有直拉IC级市场进行产业延伸;在太阳能应用领域,因其产品具有低氧碳含量、高纯度、高寿命、抗辐射的特点,提高了太阳能电池用单晶硅的光电转换效率,可以达到24%-26%。